FDN327N tranzistor s efektom poľa (MOSFET) N-kanál 20V 2A

FDN327N tranzistor s efektom poľa (MOSFET) N-kanál 20V 2A

Model: FDN327N
Značka: ON Semiconductor
Inventár: 914ks
MOQ: 2ks
Dodacia lehota: 3 dni
Zaslať požiadavku
Chat teraz
Popis

FDN327N tranzistor s efektom poľa (MOSFET) N-kanál 20V 2A

Číslo modeluFDN327N
Typ FETN-kanál
Odtok k zdroju20V
Aktuálne -2A (Ta)
Napätie pohonu1.8V, 4.5V
Vgs(th) (Max)1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány6,3 nC @ 4,5 V
Vstupná kapacita423 pF pri 10 V
Vgs (Max)±8V
Stratový výkon500 mW (Ta)
Rds On (Max)70 mOhm @ 2A, 4.5V
Dodávateľské zariadenieSuperSOT-3
Balenie / puzdroDO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ostatné mená

FDN327N-ND


FDN327N tranzistor s efektom poľa (MOSFET) N-kanál 20V 2A

Populárne Tagy: fdn327n tranzistor s efektom poľa (mosfet) n-kanál 20v 2a, Čína, dodávatelia, veľkoobchod, kúpiť, lacno, zľava, nízka cena, skladom

Zaslať požiadavku